综合薄膜检测及光谱应用解决方案供应商
  Rotatable Incidence Spectroscopic Ellipsometry

RISE (Rotatable Incidence Spectroscopic Ellipsometry) 采用旋转单补偿器光学结构(PSCrA)与旋转起偏器(PrSCA)原理相结合,具有自动变角功能,代表着系科公司光谱椭偏技术的最高水准,拥有多项核心专利,所有硬件配置均为国际顶尖,历时数年开发测试,具有出色的稳定性。


RISE 可在可见光及近红外波段(其余波段可选)快速采集数据,进行膜厚、折射率、消光系数等光学参量的分析。无论是吸收还是透明衬底,双层膜还是多层膜分析,皆可一键完成。 RISE 能够分析并不理想的样品,如:具有米氏散射或瑞利散射的绒面衬底、具有背板反射的透明衬底、膜层厚度极其薄以及极其厚、非均匀样品等等。RISE 适用于多种领域的薄膜测量:晶硅太阳能电池、薄膜太阳能电池、半导体、微电子、触摸屏及LED等


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光谱椭偏仪
Spectroscopic Ellipsometry 

主要性能指标


1. 无论衬底透明还是非透明,COSE均能精确地自动定位到测试面;

2. 自动选择对应的测试光强,不会饱和,不会过弱,保证最佳信噪比;

3. 薄至0.1nm,厚至20μm无处遁形,

4. 叠层膜、吸收膜之厚亦不在话下;

5. 致密性(折射率)、消光系数、介电常数、膜层界面粗糙度、梯度混和


检测范围


1. 有机膜,包括NPB、YBD、YBH 等

2. 纳米级金属层膜 (薄至透光);

3. 薄至0.1nm级的任何氧化物膜、氮化物膜、有机膜等

4. 叠层膜 (具有分层制样);

5. PEGMA、PI、ITO、PE等各水溶、旋涂、沉积、溅射膜...

6.高效电池之ALD/PECVD所镀 AlOx、SiNx、Poly、Amorphous...

激光椭偏仪
Laser  Ellipsometry

LE-M5采用旋转单补偿器光学结构(PSCrA)与旋转起偏器(PrSCA)原理相结合,采用632.8nm He-Ne激光器或者半导体激光器,能在1S内完成单层镀膜的测量,具有出色的稳定性。


LE-M5采用全新椭偏算法配合高品质相位补偿的设计方案,可以获得更出色的原始椭偏参数(ψ,Δ)精度,进而获得更为精确的折射率及膜厚。同时,该算法还能够避免普通设计所具有的死角区,大大增加了可测膜层的范围及种类。是晶硅太阳能电池测量领域的理想选择。



应用领域                                                   测量内容                  


晶硅电池单层减反层(SiNx)                                                       膜层厚度(Thickness)     

双层膜的顶层膜厚及折射率                                                单点折射率(Refractivity)

硅上的介质膜                                                            单点消光系数(Extinction coef) 

玻璃镀膜(Coatings on glass)

砷化镓上镀膜 ...